半导体清洗材料：半导体的特性

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　　半导体材料是一种功能材料，在室温下其导电性介于导电材料和绝缘材料之间。电导率是通过电子和空穴载流子实现的，室温下电阻率一般在１０－５～１０７欧姆·ｍ之间，通常随温度升高电阻率增大；如果加入活性杂质或用光或射线照射，电阻率可以改变几个数量级。

　　此外，半导体材料的电导率对外界条件（如热、光、电、磁等因素）的变化非常敏感，因此可以制作各种敏感元件进行信息转换。

　　半导体材料的特征参数有禁带宽度、电阻率、载流子迁移率、非平衡载流子寿命和位错密度。隙宽由半导体的电子态和原子构型决定，反映了材料原子中价电子从束缚态激发到自由态所需的能量。电阻率和载流子迁移率反映了材料的电导率。

　　非平衡载流子寿命反映了半导体材料在外界作用（如光或电场）下内部载流子从非平衡态过渡到平衡态的弛豫特性。位错是晶体中最常见的缺陷之一。位错密度用于测量半导体单晶材料的晶格完整性，但对于非晶半导体材料，没有这个参数。

　　半导体材料的特征参数不仅能反映半导体材料与其他非半导体材料之间的差异，还能反映各种半导体材料甚至同一材料在不同条件下的量值差异。

　　半导体材料的特征参数与材料中的杂质原子和晶体缺陷密切相关。例如，根据杂质原子的类型和数量、载流子迁移率和非平衡载流子寿命，电阻率可能有很大的变化

　　它一般随杂质原子和晶体缺陷的增加而降低。另一方面，半导体材料的各种半导体性质也离不开各种杂质原子的作用。对于晶体缺陷，除了在一般情况下尽可能地减少和消除外，在某些情况下还应将其控制在一定程度上，甚至在存在晶体缺陷时，经过适当处理后加以利用。