半导体清洗材料纯度标准是什么

半导体清洗材料纯度需符合SEMI规范，按7nm、14nm、28nm等制程细分，核心看四项指标。

金属离子纯度：控Na、K、Fe等含量。90nm+制程总含量≤100ppt（单离子≤10ppt）；28-45nm总≤50ppt（单≤5ppt）；7-14nm总≤10ppt（单≤1ppt，Cu/Ni≤0.1ppt）。用ICP-MS检测（限0.001ppt），防金属离子致晶圆缺陷。

颗粒纯度：控颗粒数量与尺寸。90nm+制程≥0.5μm颗粒≤10个/mL、≥0.2μm≤100个/mL；28nm≤制程≥0.1μm≤50个/mL、≥0.05μm≤500个/mL；7nm≤制程≥0.02μm≤1000个/mL。用激光颗粒计数器检测，提前校准设备，防颗粒致光刻偏差。

有机污染物纯度：按TOC衡量。90nm+制程≤100ppb；28nm≤制程≤50ppb；7-14nm≤10ppb。用总有机碳分析仪检测（高温燃碳测CO₂），防有机物影响光刻胶附着力。

电阻率：水基材料关键指标。超纯水25℃时≥18.2MΩ・cm；稀释用水≥15MΩ・cm；1%氢氧化铵溶液≥100kΩ・cm（25℃）。用高精度仪检测（控温25℃±0.1℃），防离子污染晶圆。

此外，酸性清洗液pH0.5-1.0、碱性8-10，金属氧化物含量≤10ppt，确保适配不同制程需求。