半导体清洗材料能去除光刻胶吗

半导体清洗材料可有效去除光刻胶，是半导体制造中光刻后处理的关键环节，需根据光刻胶类型与衬底材质选择适配材料。

湿法清洗材料应用广泛，包括溶剂型与碱性两类。溶剂型如DMSO在60-80℃时可去除交联光刻胶，作为NMP的替代品，能溶解酚醛树脂类光刻胶与PMMA。碱性材料中，4%KOH溶液几秒内可去除普通酚醛树脂光刻胶，25%浓度TMAH则适配硬烘后的稳定光刻胶，但需控制浓度避免腐蚀硅衬底。

SPM混合液（硫酸/过氧化氢）通过强氧化性将光刻胶氧化为小分子物质，配合80-150℃温度控制，5-15分钟即可完成去除，常用于有机物污染严重的场景。清洗过程可辅以兆声波辅助，针对高深宽比结构样品效果，同时避免超声波对敏感结构的损伤。

实际应用中多采用级联清洗模式，样品经三槽不同状态的清洗液处理，用电阻率>18.2MΩ・cm的超纯水漂洗，确保无残留。清洗后需达到金属离子浓度<1×10¹⁰atoms/cm²的原子级洁净度，为后续工艺提供合格表面。